Now Reading
Intel sagt, dass es solange bis 2030 eine Billion Transistoren in ein Päckchen stopfen wird

Intel sagt, dass es solange bis 2030 eine Billion Transistoren in ein Päckchen stopfen wird

Intel sagt, dass es bis 2030 eine Billion Transistoren in ein Paket stopfen wird

[ad_1]

Vergangenes Jahr, Intel sagte, dass es TSMC und Samsung Foundry solange bis 2025 die Prozessführerschaft an Gewicht verlieren werde. Im Moment sind TSMC und Samsung die beiden führenden Chip-Foundries welcher Welt, die beiderlei die modernsten Rohscheiben liefern. Beiderartig werden im nächsten Jahr Rohscheiben ausliefern, die mit dem 3-nm-Prozessknoten hergestellt wurden. Zeugen wir es uns so störungsfrei wie möglich. Je Vorleger welcher Prozessknoten, umso Vorleger sind die Transistoren, die zur Stromversorgung eines Rohscheiben verwendet werden, welches bedeutet, dass mehr von ihnen im Inneren untergebracht werden können.

Je höher die Transistoranzahl eines Rohscheiben ist, umso leistungsfähiger und energieeffizienter ist er in welcher Regel

Je mehr Transistoren sich in einem Chip entscheiden, umso leistungsfähiger und energieeffizienter ist er in welcher Regel. Nehmen wir dies iPhone qua Denkmuster. Jener 2013 veröffentlichte A13 Bionic SoC wurde in welcher iPhone 11-Serie verwendet und mit dem 7-nm-Prozessknoten von TSMC hergestellt. Jener Chip enthielt 8,5 Milliarden Transistoren. Jener A16 Bionic, welcher dies iPhone 14 Pro und iPhone 14 Pro Max antreibt, wird mit dem 4-nm-Prozessknoten von TSMC (technisch ein verbesserter 5-nm-Prozess) hergestellt und verfügt zusätzlich sozusagen 16 Milliarden Transistoren.

Solange bis 2025 könnten wir sehen, wie TSMC und Samsung 2-nm-Rohscheiben herausbringen Letztere sprechen schon davon, 1,4-nm-Rohscheiben solange bis 2027 zu produzieren. TSMC hat 1-nm-Rohscheiben erwähnt, dennoch keinen Zeitrahmen z. Hd. ihre Auftreten angegeben. Wohl Intel lässt sich nicht abweisen und feierte hinaus welcher IEDM 2022 (International Electron Devices Meeting) den 75. Wiederkehr eines Gedenktages welcher Erfindung des Transistors durch die Bekanntgabe von Plänen, solange bis 2030 eine Billion Transistoren hinaus einem Päckchen zu nach sich ziehen.
Ein Verkleidung ist dies Verkleidung, in dem Rohscheiben untergebracht sind. Sie werden entweder hinaus eine Platine (PCB) gelötet oder in die Platine gesteckt. Ein Chip-Die befindet sich in einem Verkleidung, es sei denn, es handelt sich um ein Multi-Chip-Modul. Ein Denkmuster hierfür wäre eine eMMC-Flash-Menü, die vereinigen Flash-Speicher und vereinigen Flash-Speicher-Controller enthält.

Intel sagt, dass es in welcher Standpunkt sein wird, Moores Vorschrift am Leben zu erhalten; Dies ist die Observation von Intel-Mitbegründer Gordon Moore, welcher ursprünglich forderte, die Zahl welcher Transistoren in Rohscheiben jedes Jahr zu verdoppeln. Moore überarbeitete dies 10 Jahre später, qua er anstrebte, dass sich die Zahl welcher Transistoren solange bis 1975 jedweder zwei Jahre verdoppeln würde. Intel wird derbei geholfen, den ersten Ritze in welcher High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography Machine zu nach sich ziehen, welcher Lithographiemaschine welcher nächsten Generation, die zum Korrodieren dünner Schaltkreise entwickelt wurde Warenmuster hinaus den Wafern, die zu Rohscheiben werden.

Wie Intel plant, die Prozessführerschaft zurückzugewinnen

Die neuen Maschinen werden es Gießereien zuteilen, Schaltungsdesigns mit höheren Auflösungen zu radieren, um 1,7-mal kleinere Chipmerkmale und eine 2,9-mal höhere Chipdichte zu zuteilen. Jede Maschine hat vereinigen Preis von etwa 300 Mio. Dollar. Gary Patton, Intel Vice President und Vier-Sterne-General Manager of Components Research and Plan Enablement, sagte: „Fünfundsiebzig Jahre nachdem welcher Erfindung des Transistors angesprochen dies Mooresche Vorschrift weiterhin die Neuerung, die welcher weltweit exponentiell steigenden Nachfrage nachdem Computern entspricht.“

Patton fuhr fort: „Hinauf welcher IEDM 2022 präsentiert Intel sowohl die zukunftsorientierten qua gleichwohl konkreten Forschungsfortschritte, die erforderlich sind, um aktuelle und zukünftige Barrieren zu durchbrechen, sie unersättliche Nachfrage zu Befriedigung verschaffen und dies Mooresche Vorschrift z. Hd. die kommenden Jahre am Leben zu erhalten.“
Eine welcher wichtigsten Entdeckungen in welcher Industriezweig ist welcher Substitution von FinFET-Transistoren durch Gate-Sphäre-Around (GAA). Im Kontrast zu FinFET (den TSMC immer noch z. Hd. seinen 3-nm-Prozessknoten verwendet) können Stromflüsse hinaus allen vier Seiten des Kanals manipuliert werden und verwenden vertikal gestapelte Nanobänder. Samsung verwendet GAA z. Hd. seine 3-nm-Rohscheiben, während TSMC nicht nachziehen wird, solange bis es in einigen Jahren mit welcher Produktion von 2-nm-Rohscheiben beginnt. Intel, dies seine GAA-Technologie RibbonFET nennt, wird 2024 mit welcher Auslieferung solcher Rohscheiben beginnen.

Gleichwohl neue Innovationen im Kontext welcher Verpackung von Rohscheiben mit einer 10-fachen Verbesserung welcher spezifisches Gewicht helfen Intel im Kontext seinem Ziel, Verkleidung mit einer Billion Transistoren zu produzieren. Dies wird eine enorme Erhöhung welcher Zahl von Transistoren zuteilen, die in eine kleine Fläche passen. Und neue Materialien zur Herstellung kleinerer Transistoren zusammenfassen die Verwendung eines superdünnen Materials, dies nur aus drei Atomen besteht!

[ad_2]
View Comments (0)

Leave a Reply

Your email address will not be published.

Scroll To Top